Китайские исследователи анонсировали создание нового настольного источника экстремального ультрафиолетового излучения, который имеет потенциал значительно изменить производство микрочипов в стране. Эта разработка, состоявшаяся в амах усилий по обеспечению самообеспеченности в высоких технологиях, позволяет производить чипы с топологическим узлом 14 нанометров.
- Разработка нового источника УФ-излучения для литографии.
- Способен производить микросхемы с узлом 14 нм.
- Не заменяет машины ASML, но предлагает альтернативу для мелкосерийного производства.
- Использует фемтосекундный лазер и газ аргон для генерации УФ-излучения.
- Значительное снижение потребления электричества по сравнению с традиционными установками.
Технические характеристики новой технологии
Разработанный источник использует принцип генерации высоких гармоник, что позволяет избежать необходимости в гигантских зеркалах, используемых в традиционных машинах ASML. Это значительно упрощает конструкцию и снижает затраты на производство. Устройство может генерировать длины волн в диапазоне от 1 до 200 нанометров.
Преимущества для Китая
Традиционные установки ASML потребляют около 200 ватт на экспонирование, в то время как новый китайский источник требует лишь 1 микроватт на импульс, что в 200 миллионов раз меньше. Несмотря на малые размеры «окна экспонирования», яркость на единицу площади подходит для задач, таких как проверка фотошаблонов и исследование транзисторов.
| Параметр | Китайский источник | Машины ASML |
|---|---|---|
| Потребление энергии | 1 микроватт на импульс | 200 ватт |
| Размер | Настольный | Десятки метров |
| Стоимость | Несколько процентов от ASML | Стандартная стоимость |
Создание этого источника имеет важное значение для Китая, который сталкивается с трудностями в приобретении новейшего оборудования от ASML. Новая технология может стать основой для повышения производительности и эффективности в производстве и инспекции чипов, что поможет снизить зависимость от западных технологий в этой критически важной области.