Компания Micron объявила о планах инвестировать почти $10 миллиардов в строительство нового завода по производству памяти HBM в Хиросиме, Япония. Это решение обусловлено растущим спросом на высокоскоростную память для ускорителей, необходимых в сфере искусственного интеллекта. Производители DRAM всё чаще переключаются на HBM, поскольку это направление приносит значительно больше прибыли по сравнению с традиционными типами памяти, такими как DDR, GDDR и LPDDR.
Строительство нового завода начнется в следующем году, а массовое производство запланировано на 2028 год. В настоящее время Micron уже производит передовую память LPDDR5x на своей существующей фабрике в Японии, используя технологию 1γ (1-Gamma) с интеграцией EUV-литографии. Также возможно, что японское правительство предоставит дополнительные средства для реализации этого проекта, что может дополнительно усилить позиции компании в быстроразвивающемся сегменте памяти.